Технології

Samsung розробила модуль DDR5 рекордної ємності

Samsung DDR5

Samsung анонсувала нові фірмові комплектуючі – планки пам’яті DDR5-7200 об’ємом 512 ГБ. Досягти такої характеристики компанії допомогла нова технологія упаковки чіпів, особливості якої розкрито в офіційному проморолику.

Завдяки шліфування кремнієвих шарів вендору вдалося зробити кристали RAM на 40 відсотків тоншими: 1,0 мм проти 1,2 мм у продукції попереднього покоління.

Це дозволило виготовити восьмишарові чіпи пам’яті, отримавши рекордний за мірками галузі обсяг однієї планки. Для порівняння — комплектуючі стандарту DDR4, що виготовляються за допомогою технології 3D TSV, мали лише чотири шари.

Читайте також:  Названі ключові особливості Android TV 13

Виробник заявляє наступні характеристики модулів: швидкість передачі даних до 6400 Мбіт, робоча напруга 1,1 В та збільшена на 30% порівняно з DDR4 енергоефективність. У плани корпорації входить постачання новинок у центри обробки даних, а пізніше – виробникам смартфонів та ноутбуків. Дата початку перших відвантажень модулів рекордного обсягу поки що невідома.