Технології

Розробка IBM та Samsung дозволить смартфонам працювати тиждень без підзарядки

VTFET

На конференції IEDM в Сан-Франциско IBM і Samsung презентували кардинально нову конструкцію вертикального розміщення транзисторів на кристалі. Таке рішення дозволяє значно підвищити продуктивність процесорів або збільшити їх енергоефективність.

Всі існуючі процесори засновані на розташуванні транзисторів на поверхні кремнію. Нова компоновка пропонує розташовувати транспортні польові транзистори (VTFET) вертикально і перпендикулярно один одному.

Розробники запевняють, що така конструкція має відразу кілька переваг. По-перше, це дозволить обійти багато обмежень продуктивності, а по-друге, розширить закон Мура за межі існуючої технології нанолістів IBM.

Читайте також:  У телевізорах LG з'явиться таргетована реклама

Додаткові дослідження показали, що нова компоновка призведе до менших втрат енергії завдяки більшому струму. Це дозволить розробити процесори, які будуть або вдвічі швидше працювати, або споживати на 85% енергії менше, ніж чіпи, виготовлені з транзисторами з компонуванням FinFET.

У додаткових коментарях журналістам IBM пояснила, що VTFET може вийти за рамки існуючої технології нанолистов, але необов’язково до чіпів щільніше одного нанометра. При цьому можна буде або розробити процесори, в перспективі дозволяють смартфонам працювати цілий тиждень без підзарядки, або не збільшувати автономність, але значно наростити потужність.

Про терміни початку комерційного використання нової технології поки нічого не повідомляється.